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本次搭载第一阶段任务目前已顺利完成，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
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澎湃新闻从中国科学院微电子研究所获悉，开启了空间轨道科学试验之旅。中国自主研制成功首款国产高压抗辐射SiC功率器件，SiC载荷测试数据正常，最为广泛应用的器件之一。实现了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证，
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本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、
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| 作者：杨漾 来源：澎湃新闻 发布时间：2025/2/3 19:04:15 选择字号：小 中 大 | |
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